產(chǎn)品分類
垂直布里奇曼法（VB）爐（非銥技術(shù)）
所屬分類：
化合物晶體設(shè)備
布里奇曼法單晶生長(zhǎng)設(shè)備(VB、VGF)
概要：
適用領(lǐng)域： ?單晶生長(zhǎng) Relevant Industries:Single Crystal Growth 適用材料: ?Ga2O3、GaAs、InP等 Suitable for Processing: Ga2O3 (Gallium Oxide), GaAs (Gallium Arsenide), InP (Indium Phosphide) etc. 晶圓尺寸: ?12/8/6英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch
關(guān)鍵詞：
坩堝下降法（vb）長(zhǎng)晶爐
垂直布里奇曼法（VB）爐（非銥技術(shù)）
產(chǎn)品應(yīng)用/Product Applications：
適用領(lǐng)域： 單晶生長(zhǎng)
Relevant Industries:Single Crystal Growth
適用材料: Ga2O3、GaAs、InP等
Suitable for Processing: Ga2O3 (Gallium Oxide), GaAs (Gallium Arsenide), InP (Indium Phosphide) etc.
晶圓尺寸: 12/8/6英寸
Wafer Size: 12/8/6 inch
技術(shù)指標(biāo) /Technical Parameters：
加熱溫度：2200℃
Heating Temperature: 2200℃
加熱方式：感應(yīng)/電阻
Heating Method: Induction/Resistance
上一個(gè)
下一個(gè)
上一個(gè)
HVPE 法單晶生長(zhǎng)設(shè)備 —臥式
下一個(gè)